Эберс, Джуэл Джеймс

Джуэл Джеймс Эберс
Jewell James Ebers
Дата рождения:	25 ноября 1921(1921-11-25)
Место рождения:	Гранд-Рапидс
Дата смерти:	1959 год(1959)
Страна:	США
Научная сфера:	Физика полупроводников
Место работы:	Bell Labs
Альма-матер:	Университет штата Огайо
Известен как:	Соавтор модели Эберса—Молла

Джуэл Джеймс Эберс (англ. Jewell James Ebers, родился в 1921 году, умер в марте 1959 года) — американский физик, соавтор простейшей модели биполярного транзистора — модели Эберса—Молла.

Эберс родился и вырос в Гранд-Рапидс, штат Мичиган. Обучение в Антиохийском колледже^[en] было прервано Второй мировой войной^[1]. Отслужив три года в армии США, Эбер в 1946 году окончил курс в колледже, а затем продолжил обучение на электротехническом факультете Университета Огайо^[1]. В 1947 году Эберс получил диплом магистра, в 1950 году доктора философии, а в 1951 году, после непродолжительной преподавательской работы, перешёл на работу в Bell Labs — один из двух крупнейших частных научно-исследовательских институтов США^[2]. Эберс показал себя способным администратором и быстро поднялся по службе, достигнув к 1959 году поста директора филиала Bell Lans в Аллентауне^[1].

Важнейшим вкладом Эберса стало создание в 1954 году^[3], совместно с Джоном Моллом, первой практической математической модели биполярного транзистора. Модель Эберса—Молла, собранная из идеальных диодов, идеальных управляемых источников тока и паразитных емкостей, удачно подошла под требования и ограничения ранних программ машинного моделирования электронных цепей и стала составной частью SPICE, Microcap и других средств САПР. Модель Эберса—Молла на двух диодах и двух источниках тока — основная (простейшая) модель биполярного транзистора. Последовательное усложнение модели Эберса—Молла «в конце концов приводит» к совершенной (и требующей не менее 25 параметров) модели Гуммеля—Пуна^[4]. Вторым по значимости изобретением Эберса стала разработка в 1952 году первого четырёхслойного pnpn-прибора, впоследствии названного тиристором^[5].

В 1971 году секция электронных приборов IEEE учредила ежегодную премию Эберса «за выдающийся инженерный вклад в области электронных приборов»^[1]

Примечания

1. ↑ ^{1 2 3 4} Early, J. M. Electron Devices Group Award Established // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1971. — Vol. ED-19. — № 9. — P. 613.: «for an outstanding technical contribution to electron devices»
2. ↑ Вторым был комплекс лабораторий General Electric в Скенектади
3. ↑ Ebers, J. J. and Moll, J. L. Large-signal behavior of junction transistors // Proceedings of the Institute of Radio Engineers. — 1954. — Vol. 42. — № 12. — P. 1761–72.
4. ↑ Зи, C. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Мир, 1984. — Т. 1. — С. 161-163. — 456 с. — 16 000 экз.
5. ↑ Hubner, K. The four-layer diode in the cradle of Silicon Valley // Silicon Materials Science and Technology: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology / Huff, H.. — The Electrochemical Society, 1998. — P. 99-109. — 1638 p. — ISBN 9781566771931